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比闪存快6倍,TDK首次演示MRAM存储器原型?

对于下一代存储技术,人们不仅希望其速度更快、延迟更低,还希望其非易失性,断电后无数据丢失。在许多后续标准中,MRAM(磁阻随机存取存储器)是最有前途的一个,具有上述两个优点。在日本高科技博览会上,TDK公司首次展示了由STT-MRAM技术制造的8Mb内存。虽然容量很小,但读写性能是闪存的7倍以上。

英特尔、IBM、三星、SK海力士、高通等公司都在投资研发;d,但是日本公司在这个领域也很强。除了东芝,TDK也是重要的参与者。这一次,他们在日本切泰克博览会上首次展示了MRAM晶圆,并进行实际优艾设计网_PS论坛性能演示。

TDK的MRAM技术是基于STT(自旋转移力矩)的,这个技术方案以前就有了。然而,TDK正在研究一种新的方法,利用磁荷存储数据,并通过STT效应命名数据状态,可以抑制电子在写入数据时获得磁场强度的变化。

据PCWORLD报道,TDK还在展会现场对STT MRAM和闪存进行了性能对比。左边是他们开发的STT MRAM平台,右边是NOR闪存,MRAM的性能是NOR闪存的7倍以上。

目前,MRAM技术仍在开发中。TDK已经生产了8英寸的MRMA晶圆(见第一张图片),通过其Headway公司进行测试。但是,Headway公司没有大规模生产的能力,所以TDK需要一个合作伙伴来帮助他们在未来生产MRAM。

在MRAM领域,TDK的主要竞争对手是美国的Everspin公司。两年前,他们还推出了ST MRAM芯片,其容量为16Mb,读写性能惊人。

但是,目前的MRAM技术都是镜中花,理论上有很好的优势,但是技术一点都不成熟,也有固有的缺点,距离实用化还有很长的路要走。

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