2016年10nm节点启用EUV工艺，Intel拿到头等票？

英特尔今年已经开始量产14nm工艺，下一代工艺将是10nm。英特尔最初计划在2015年底开始生产10纳米工艺。随着10纳米以内的半导体工艺，新一代EUV光刻设备变得越来越重要，这取决于荷兰ASML公司的研发进展。前几天公司公布了Q3季度财务报告，其中提到他们将在2016年10纳米工艺节点正式启动EUV光刻工艺，第一个客户一般认为是英特尔优艾设计网_平面设计。

荷兰ASML公司是世界上最大的半导体设备制造公司。两年前，他们引进了实验性的EUV光刻设备NXE:3100，量产型号为NEX:3300B。这个设备的日晶圆产能已经达到了500片，但是这个产能还远远没有开始提到的每小时70片。

截至目前，共认证出货6台NXE:3300B设备，总订单量为11台，其中去年出货3台，已出货或正在出货5台，其余3台预计2015年升级为NEX:3350B机型。

ASML还提到，他们正在和一个客户合作，在2016年10纳米中期节点安装EUV光刻机设备，这意味着两年后我们将在10纳米节点正式迎来EUV技术，这个谈了很多年的技术终于开始量产了。

ASML没有公布这个客户的名字，但业内普遍认为这个公司就是英特尔。英特尔不仅是ASML的大客户，也是其主要股东之一。2012年，它投资41亿美元收购ASML 15%的股份，这也是推广EUV光刻工艺最积极的一次。当然，英特尔也拥有最多的实力和财力。首先应用EUV过程并不奇怪。

然而，EUV进程已经拖延了这么多年，英特尔对此一直保持冷静。此前，他们表示，即使没有EUV光刻工艺，他们也知道如何用7纳米工艺制造芯片。言外之意是，EUV进程更好，没有EUV他们也能做到。我对你并不坏。