RRAM技术突破将催生邮票大小的大容量SSD？

大家都知道SSD的数据传输速度快，但容量仍然是它的主要缺点。英特尔和三星已经通过一种名为3D NAND的技术解决了这个问题。三星新推出的850 Evo SSD存储容量可达120GB，尺寸仅略大于一个u盘，证明3D NAND可以有效增加SSD的容量。

但3D NAND并不是唯一能帮助增加SSD容量的技术。成立于2010年的硬件初创公司Crossbar一直在开发一种名为RRAM(电阻式随机存取存储器)的技术，这是一种非易失性随机存取存储器，这意味着它存储的信息即使在断电后也不会丢失。

Crossbar的方法是将RRAM堆叠成立方体状结构，理论上一个芯片的存储容量可以达到1TB。听起来不错吧？但是它有一个问题：正常情况下，内存芯片的接近会造成漏电流，导致能耗增加，最坏的情况甚至会让固态硬盘无法使用。用Crossbar的话来说，“多条平行导电路径会导致电流泄漏，从而限制最大阵列尺寸，增加能耗。”

这一限制将使Crossbar“过时”，但Crossbar工程师表示，他们已经开发了一种名为1TnR的解决方案，将多达2000个存储单元连接到一个晶体管上。该方案使Crossbar能够避免漏电流问题，这意味着生产大容量固态驱动器的可能性大大提高。另外，采用这种设计，固态硬盘的使用寿命可以达到1亿个使用周期，开关机状态的切换可以在50纳秒内完成。这使得它的使用寿命超过了消费者的需求。

实际上，Crossbar的RRAM突破意味着它可以将超大型固态硬盘的存储容量压缩到邮票大小的空间。这款优艾设计网_PS交流固态硬盘的尺寸甚至比使用三星V-NAND和英特尔3D NAND的固态硬盘还要小。例如，11英寸的Chromebook将配备1TB固态硬盘。

然而，用户将不得不等待更长的时间，因为采用Crossbar技术的固态硬盘最早要到明年年底才能上市销售。这类产品更有可能在2016年上市。目前还不清楚制造商是否对Crossbar技术感兴趣。Crossbar没有透露该公司的早期客户。交叉开关技术仍然面临几个障碍。如果成功，采用Crossbar技术的SSD将获得急需的容量优势。