三星公布第二代3D V?
三星去年推出了第二代3D V-NAND技术,并将其应用于850 Pro/EVO固态硬盘。近日,在ISSCC 2015研讨会上,三星公布了第二代3D V-NAND的部分细节,并对部分优化部分进行了说明。
Pc详细介绍了这一点。从上图可以看出,第一代和第二代3D V-NAND在存储密度上有很大的差异。第一代采用24层堆叠的MLC设计,128Gbit容量所需面积为133mm2,而第二代采用TLC设计,32层堆叠,存储密度大幅提升,128 gbit占用面积为68.9mm2,第一代存储密度为0.93Gb/mm2,第二代上升到1.86Gb/mm2,增长了2.25倍,相对来说还是比较惊人的。
两代3D V-NAND存储密度的比较。
当传统的2D闪存达到一定密度时,每个电源中存储的电荷量会减少,相邻的存储单元也会产生电荷干扰。为了避免这些负面影响,传统的薄层色谱编程将分为三个阶段,以便在编程过程中更准确地控制电荷量。
而3D V-NAND没有传统2D闪存的问题,不需要多级控制。三优艾设计网_设计星通过HSP技术将多级编程过程集成为一体,大大减少了闪存编程时间。
编程时间缩短一半,写入功耗可降低40%。
内存核心三维结构(中),字线电阻检测(左)。
闪存的结构发生了变化,导致字线近端和远端的电阻有一些差异,这将导致读取放大器和控制解码之间的滞后。为了解决这个问题,检测电阻,并针对不同的字线参数给出不同的电压,从而有效地减少了建立时间。
数据总线的架构图可以实现1Gbps的高速数据传输速度。
读写方面,会提前读取4G数据,同时会进行2路交错动作,加速数据传输。另外,现在数据位宽从32Bit扩展到64Bit,然后根据传输速度,芯片内部的稳压器进行电流调节和电压波动抑制,降低了信号抖动,1Gbps以下的抖动从420ps降低到280ps,实现了1Gbps的高速数据传输速度。
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