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美光40亿美元扩建3D闪存厂全面转向16nm工艺?

传统平板闪存在16/15nm技术之后面临瓶颈,厂商纷纷转向3D闪存,其中三星最快。去年开始量产第二代V-NAND闪存,850 Pro和850 Evo硬盘也上市了。东芝/SanDisk部门也在跟进,在日本扩建Fab 2工厂,为3D闪存的生产做准备,英特尔/Micron部门也在去年底公开了他们的3D NAND闪存,现在已经可以量产了。近日,美光宣布将投资40亿美元在新加坡扩建Fab 10晶圆厂,并于明年年底开始量产第二代3D NAND闪存。

美光斥资40亿美元升级Fab 10X fab,生产3D NAND闪存。

美光在新加坡现有的Fab 10N晶圆厂,月产能约为14万片等效晶圆。这次新建的Fab 10X晶圆厂主要生产第二代3D NAND闪存。建成后,月产能仍在14万片当量左右,但之后将使用3D NAND闪存,因此总产能较大,可支撑未来几年每年40-50%的位容量增长。

总投资约40亿美元,整个项目要到2017财年,即2016年第四季度才能完工,其中2015财年前期投资5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要生产第二代3D NAND闪存。根据英特尔此前的说法,第二代3D NAND闪存最多可以堆叠32层NAND,管芯的核心容量高达256Gb,因此可以达到1TB的容量。如果是TLC闪存,管芯的容量可以达到384Gb,在2mm的厚度下可以达到1TB的容量,也就是一个SD卡的大小有TB的容量。

美光的3D NAND闪存路线图。

根据美光的路线图,在平面16nm工艺之后,他们将100%专注于3D NAND闪存,搭载3D NAND闪存的固态硬盘将于2015年底在消费市场推出,但这款应该是第一代3优艾设计网_PS百科D NAND,有16个堆叠层,略低于三星的V-NAND。

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