SK Hynix量产3D NAND，还有16nm TLC闪存？

在四大NAND巨头中，三星在2014年占据了全球SSD市场的主导地位，英特尔、SanDisk、Micron和东芝也位列前五，sk海力士排名第十，SSD收入低于希捷和西部数字。不仅是闪存，在内存行业，SK海力士也是被三星远远甩在后面。现在SK海力士准备努力了。今年将量产16纳米制程的36层堆叠式3D NAND闪存和TLC闪存，DRAM内存也将加速后10纳米制程。

虽然别人有技术优势，SK海力士有秘密武器(火)。

三星在过去两年中NAND和DRAM的较高份额主要是由技术驱动的。去年，三星率先采用V-NAND技术量产3D闪存优艾设计网_Photoshop问答，除三星外的其他公司要到今年才会开始生产。SK海力士表示，他们去年成功研发了24层的3D闪存，今年准备量产3D闪存。他们将首次大规模生产36层的3D闪存。今年年底，他们还将准备批量生产48层的3D闪存。

三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈，但也准备在今年下半年量产48层堆栈。英特尔/Micron宣布的3D NAND闪存也是32层堆栈，更多堆栈正在研究中。东芝和SanDisk也在日本Yokkaichi建立了Fab 2工厂，预计3D闪存要到2016年才能量产。

除了3D闪存外，SK海力士还将继续强化传统平板闪存，即将推出16nm TLC闪存，并在今年年底前将TLC闪存容量提升至Q2的10%和40%。此外，在第三季度，他们将推出具有16纳米TLC闪存的SSD，并将TLC SSD的比例提高到20-30%。

内存方面，三星20nm工艺已经量产，SK海力士需要不断升级产品。位于韩国京畿道利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入收尾阶段，半导体设备已备货。预计从年底开始运营。一旦投产，其产能将达到每月15000片晶圆。

不过SK海力士在技术上还是有点落后，预计要到明年6月才能提供后10纳米工艺的DRAM样品，而三星则准备量产后10纳米工艺的DRAM内存。